STD155N3H6

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是意法半导体公司的STD155N3H6的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；系列：DeepGATE™，STripFET™ VI；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；

厂商：意法半导体公司
类别：汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/引擎管理/relay driver/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：DeepGATE™，STripFET™ VI
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：80A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：3 毫欧 @ 40A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：62nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：3650pF @ 25V
功率-最大值：110W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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