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SCT2120AFC

SCT2120AFC

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是罗姆半导体集团的SCT2120AFC的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：管件；FET类型：SiCFET N 通道，碳化硅；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：650V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：29A（Tc）；


  • 厂商：罗姆半导体集团
  • 类别： 汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/引擎管理/Power Stages/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：-
  • FET类型：SiCFET N 通道，碳化硅
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：650V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：29A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：156 毫欧 @ 10A，18V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 3.3mA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：61nC @ 18V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：1200pF @ 500V
  • 功率-最大值：165W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商器件封装：TO-220AB
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