RV1C002UNT2CL

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是罗姆半导体集团的RV1C002UNT2CL的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动；漏源极电压（Vdss）：20V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：150mA（Ta）；

厂商：罗姆半导体集团
类别：汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/引擎管理/Power Stages/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：150mA（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：2 欧姆 @ 150mA，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：12pF @ 10V
功率-最大值：100mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-SMD，无引线
供应商器件封装：VML0806

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