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综述介绍

PMV20XNER

PMV20XNER

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是恩智浦半导体公司的PMV20XNER的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：*可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.7A（Ta）；

厂商：恩智浦半导体公司
类别：汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/引擎管理/Power Stages/
主要规格参数:
包装：*可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.7A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：23 毫欧 @ 5.7A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：18.6nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1150pF @ 15V
功率-最大值：510mW
安装类型：*
封装/外壳：*
供应商器件封装：*

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