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MCH6604-TL-E

MCH6604-TL-E

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是安森美半导体公司的MCH6604-TL-E的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：50V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：250mA；


  • 厂商：安森美半导体公司
  • 类别： 汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/引擎管理/Power Stages/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR）
  • 系列：-
  • FET类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：50V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：250mA
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：7.8 欧姆 @ 50mA，4V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：1.57nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：6.6pF @ 10V
  • 功率-最大值：800mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装：6-MCPH
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