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BSC100N06LS3 G

BSC100N06LS3 G

发布时间:2015-08-21
简介:

本文是英飞凌科技公司的BSC100N06LS3 G的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;系列:OptiMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):60V;


  • 厂商:英飞凌科技公司
  • 类别: 汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/电池管理与充电/3-Phase Inverter/
  • 主要规格参数:
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  • 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
  • 系列:OptiMOS™
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):60V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):12A(Ta),50A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):10 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.2V @ 23µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):45nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):3500pF @ 30V
  • 功率-最大值:50W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
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