BSZ0904NSI
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是英飞凌科技公司的BSZ0904NSI的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:OptiMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;
- 厂商:英飞凌科技公司
- 类别:
汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/电池管理与充电/3-Phase Inverter/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:OptiMOS™
- FET类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):40A(Ta),18A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):4 毫欧 @ 30A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):1100pF @ 15V
- 功率-最大值:37W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- 供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)