BSS87E6327T
发布时间:2015-08-23
简介:
本文是英飞凌科技公司的BSS87E6327T的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:SIPMOS®;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):240V;
- 厂商:英飞凌科技公司
- 类别:
汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/电池管理与充电/3-Phase Inverter/
- 主要规格参数:
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- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:SIPMOS®
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):240V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):260mA(Ta)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):6 欧姆 @ 260mA,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.8V @ 108µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):5.5nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):97pF @ 25V
- 功率-最大值:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商器件封装:P-SOT89-4