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BSS138N L6327

BSS138N L6327

发布时间:2015-08-23
简介:

本文是英飞凌科技公司的BSS138N L6327的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;系列:SIPMOS®;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):60V;


  • 厂商:英飞凌科技公司
  • 类别: 汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/电池管理与充电/3-Phase Inverter/
  • 主要规格参数:
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  • 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
  • 系列:SIPMOS®
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):60V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):230mA(Ta)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):3.5 欧姆 @ 230mA,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):1.4nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):41pF @ 25V
  • 功率-最大值:360mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:PG-SOT23-3
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