BSD214SN L6327
发布时间:2015-08-23
简介:
本文是英飞凌科技公司的BSD214SN L6327的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;系列:OptiMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):20V;
- 厂商:英飞凌科技公司
- 类别:
汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/电池管理与充电/3-Phase Inverter/
- 主要规格参数:
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- 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
- 系列:OptiMOS™
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):20V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.5A(Ta)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):140 毫欧 @ 1.5A,4.5V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.2V @ 3.7µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):0.8nC @ 5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):143pF @ 10V
- 功率-最大值:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:PG-SOT363-6