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综述介绍

2N7002DW L6327

2N7002DW L6327

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是英飞凌科技公司的2N7002DW L6327的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；系列：OptiMOS™；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：60V；

厂商：英飞凌科技公司
类别：汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/电池管理与充电/3-Phase Inverter/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：OptiMOS™
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：300mA
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：3 欧姆 @ 500mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：0.6nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：20pF @ 25V
功率-最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：PG-SOT363-6

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