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IPD60R2K1CEBTMA1

IPD60R2K1CEBTMA1

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是英飞凌科技公司的IPD60R2K1CEBTMA1的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；系列：CoolMOS™ CE；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：600V；


  • 厂商：英飞凌科技公司
  • 类别： 汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/电池管理与充电/Power Management/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：CoolMOS™ CE
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：600V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.3A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：2.1 欧姆 @ 760mA，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 60µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：6.7nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：140pF @ 100V
  • 功率-最大值：22W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商器件封装：TO-252-3
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