IPI60R099CPA
发布时间:2015-08-22
简介:
本文是英飞凌科技公司的IPI60R099CPA的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:管件;系列:CoolMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):600V;
- 厂商:英飞凌科技公司
- 类别:
汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/电池管理与充电/Power Management/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:CoolMOS™
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):600V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):31A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):105 毫欧 @ 18A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):80nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):2800pF @ 100V
- 功率-最大值:255W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商器件封装:PG-TO262-3