MBR10100MFST3G

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是安森美半导体公司的MBR10100MFST3G的数据表，它是属于分立半导体产品单二极管/整流器。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；二极管类型：肖特基；电压-DC反向（Vr）（最大值）：100V；电流-平均整流（Io）：10A；不同If时的电压-正向（Vf）：950mV @ 10A；

厂商：安森美半导体公司
类别：汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/电池管理与充电/Output rectification/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
二极管类型：肖特基
电压-DC反向（Vr）（最大值）：100V
电流-平均整流（Io）：10A
不同If时的电压-正向（Vf）：950mV @ 10A
速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：-
不同Vr时的电流-反向漏电流：100µA @ 100V
不同Vr，F时的电容：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
供应商器件封装：5-DFN，8-SO 扁引线（5x6）
工作温度-结：-55°C ~ 175°C

PDF 下载