FDMS8570S
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是飞兆半导体公司的FDMS8570S的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:PowerTrench®,SyncFET™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):25V;
- 厂商:飞兆半导体公司
- 类别:
汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/驾驶/传动管理/Power Switch/
- 主要规格参数:
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- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:PowerTrench®,SyncFET™
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):25V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):24A(Ta),60A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):2.8 毫欧 @ 24A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):425nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):2825pF @ 13V
- 功率-最大值:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- 供应商器件封装:8-PQFN(5x6),Power56