FDG6301N_F085
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是飞兆半导体公司的FDG6301N_F085的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):25V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):220mA;
- 厂商:飞兆半导体公司
- 类别:
汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/驾驶/传动管理/Power Switch/
- 主要规格参数:
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- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:-
- FET类型:2 个 N 沟道(双)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):25V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):220mA
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):4 欧姆 @ 220mA,4.5V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):0.4nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):9.5pF @ 10V
- 功率-最大值:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:SC-70-6