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综述介绍

IPG20N06S2L-65

IPG20N06S2L-65

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是英飞凌科技公司的IPG20N06S2L-65的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；系列：OptiMOS™；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：55V；

厂商：英飞凌科技公司
类别：汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/电泵、电机控制和辅助设备/OPTIMOS-T2 MOSFETs/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：OptiMOS™
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：55V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：20A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：65 毫欧 @ 15A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 14µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：12nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：410pF @ 25V
功率-最大值：43W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）

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