STT6N3LLH6
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是意法半导体公司的STT6N3LLH6的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;系列:DeepGATE™,STripFET™ VI;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;
- 厂商:意法半导体公司
- 类别:
汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/电泵、电机控制和辅助设备/voltage regulator/
- 主要规格参数:
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- 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
- 系列:DeepGATE™,STripFET™ VI
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):6A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):25 毫欧 @ 3A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):3.6nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):283pF @ 24V
- 功率-最大值:1.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-23-6
- 供应商器件封装:SOT-23-6