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STD96N3LLH6

STD96N3LLH6

发布时间:2015-08-22
简介:

本文是意法半导体公司的STD96N3LLH6的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:DeepGATE™,STripFET™ VI;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;


  • 厂商:意法半导体公司
  • 类别: 汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/电泵、电机控制和辅助设备/voltage regulator/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:带卷(TR) 可替代的包装
  • 系列:DeepGATE™,STripFET™ VI
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):30V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):80A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):4.2 毫欧 @ 40A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):20nC @ 4.5V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):2200pF @ 25V
  • 功率-最大值:70W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装:DPAK-3
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