STU60N3LH5
发布时间:2015-08-22
简介:
本文是意法半导体公司的STU60N3LH5的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:管件;系列:STripFET™ V;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;
- 厂商:意法半导体公司
- 类别:
汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/电泵、电机控制和辅助设备/voltage regulator/
- 主要规格参数:
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- 包装:管件
- 系列:STripFET™ V
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):48A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):8.4 毫欧 @ 24A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):8.8nC @ 5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):1620pF @ 25V
- 功率-最大值:60W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
- 供应商器件封装:I-Pak