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STL65DN3LLH5

STL65DN3LLH5

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是意法半导体公司的STL65DN3LLH5的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；系列：STripFET™ V；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；


  • 厂商：意法半导体公司
  • 类别： 汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/电泵、电机控制和辅助设备/voltage regulator/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：STripFET™ V
  • FET类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：30V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：65A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：6.5 毫欧 @ 9.5A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：12nC @ 4.5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：1500pF @ 25V
  • 功率-最大值：60W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装：PowerFlat™（5x6）
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