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STS8DNF3LL

STS8DNF3LL

发布时间:2015-08-20
简介:

本文是意法半导体公司的STS8DNF3LL的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;系列:STripFET™ II;FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;


  • 厂商:意法半导体公司
  • 类别: 汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/电泵、电机控制和辅助设备/voltage regulator/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
  • 系列:STripFET™ II
  • FET类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):30V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):8A
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):20 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):17nC @ 5V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):800pF @ 25V
  • 功率-最大值:1.6W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
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