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综述介绍

STGD3NB60SDT4

STGD3NB60SDT4

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是意法半导体公司的STGD3NB60SDT4的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；系列：PowerMESH™；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：6A；脉冲电流-集电极(Icm)：25A；

厂商：意法半导体公司
类别：汽车电子/动力系统/混合动力与电动车/电泵、电机控制和辅助设备/Power Mosfets/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：PowerMESH™
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：6A
脉冲电流-集电极(Icm)：25A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：1.5V @ 15V，3A
功率-最大值：48W
开关能量：1.15mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：18nC
25°C时Td（开/关）值：125µs/-
测试条件：480V，3A，1 千欧，15V
反向恢复时间（trr）：1.7µs
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：D-Pak

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