NP110N04PUJ-E1B-AY

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是瑞萨电子美国公司的NP110N04PUJ-E1B-AY的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：40V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：110A（Tc）；

厂商：瑞萨电子美国公司
类别：汽车电子/安全与底盘/制动系统/EPS/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：40V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：110A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1.8 毫欧 @ 55A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：230nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：14250pF @ 25V
功率-最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：TO-263

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