IPD50N04S4-10
发布时间:2015-08-22
简介:
本文是英飞凌科技公司的IPD50N04S4-10的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);系列:OptiMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):40V;
- 厂商:英飞凌科技公司
- 类别:
汽车电子/安全与底盘/制动系统/MOSFET/
- 主要规格参数:
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- 包装:带卷(TR)
- 系列:OptiMOS™
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):40V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):50A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):9.3 毫欧 @ 50A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 15µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):18.2nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):1430pF @ 25V
- 功率-最大值:41W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商器件封装:PG-TO252-3-313