SI7812DN-T1-E3
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是威世硅尼克斯的SI7812DN-T1-E3的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:TrenchFET®;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):75V;
- 厂商:威世硅尼克斯
- 类别:
汽车电子/安全与底盘/制动系统/MOSFET - High Side/
- 主要规格参数:
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- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:TrenchFET®
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):75V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):16A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):37 毫欧 @ 7.2A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):24nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):840pF @ 35V
- 功率-最大值:52W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK® 1212-8
- 供应商器件封装:PowerPAK® 1212-8