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综述介绍

SI7960DP-T1-E3

SI7960DP-T1-E3

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是威世硅尼克斯的SI7960DP-T1-E3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；系列：TrenchFET®；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：60V；

厂商：威世硅尼克斯
类别：汽车电子/安全与底盘/制动系统/MOSFET - High Side/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：TrenchFET®
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6.2A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：21 毫欧 @ 9.7A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：75nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
功率-最大值：1.4W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装：PowerPAK® SO-8 Dual

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