PSMN7R0-100XS,127
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是恩智浦半导体公司的PSMN7R0-100XS,127的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:管件;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):100V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):55A(Tc);
- 厂商:恩智浦半导体公司
- 类别:
汽车电子/安全与底盘/制动系统/MOSFET - Power/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:-
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):100V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):55A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):6.8 毫欧 @ 15A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):121nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):6686pF @ 50V
- 功率-最大值:57.7W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片
- 供应商器件封装:TO-220F