FDMS86520
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是飞兆半导体公司的FDMS86520的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:PowerTrench®;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):60V;
- 厂商:飞兆半导体公司
- 类别:
汽车电子/安全与底盘/制动系统/MOSFET - Power/
- 主要规格参数:
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- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:PowerTrench®
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):60V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):14A(Ta),42A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):7.4 毫欧 @ 14A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):40nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):2850pF @ 30V
- 功率-最大值:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:8-PQFN(5x6),Power56