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FDMS86520

FDMS86520

发布时间:2015-08-21
简介:

本文是飞兆半导体公司的FDMS86520的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:PowerTrench®;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):60V;


  • 厂商:飞兆半导体公司
  • 类别: 汽车电子/安全与底盘/制动系统/MOSFET - Power/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:带卷(TR) 可替代的包装
  • 系列:PowerTrench®
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):60V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):14A(Ta),42A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):7.4 毫欧 @ 14A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):40nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):2850pF @ 30V
  • 功率-最大值:2.5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-TDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装:8-PQFN(5x6),Power56
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