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综述介绍

FQP33N10

FQP33N10

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是飞兆半导体公司的FQP33N10的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：管件；系列：QFET®；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：100V；

厂商：飞兆半导体公司
类别：汽车电子/安全与底盘/制动系统/MOSFET - Power/
主要规格参数:
包装：管件
系列：QFET®
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：33A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：52 毫欧 @ 16.5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：51nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1500pF @ 25V
功率-最大值：127W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220

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