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NVMFD5877NLT1G

NVMFD5877NLT1G

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是安森美半导体公司的NVMFD5877NLT1G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：60V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A；


  • 厂商：安森美半导体公司
  • 类别： 汽车电子/安全与底盘/制动系统/MOSFET - Power/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：-
  • FET类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：60V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：39 毫欧 @ 7.5A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：20nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：540pF @ 25V
  • 功率-最大值：3.2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装：8-DFN（5x6）
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