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NVA4153NT1G

NVA4153NT1G

发布时间：2015-08-22
简介：

本文是安森美半导体公司的NVA4153NT1G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：*；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：20V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：915mA（Ta）；


  • 厂商：安森美半导体公司
  • 类别： 汽车电子/安全与底盘/制动系统/Sensor Interface / Signal Conditioning/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：*
  • 系列：-
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：20V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：915mA（Ta）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：230 毫欧 @ 600mA，4.5V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：1.82nC @ 4.5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：110pF @ 16V
  • 功率-最大值：300mW
  • 安装类型：*
  • 封装/外壳：*
  • 供应商器件封装：*
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