MJB44H11G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的MJB44H11G的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：管件可替代的包装；晶体管类型：NPN；电流-集电极（Ic）（最大值）：10A；电压-集射极击穿（最大值）：80V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1V @ 400mA，8A；

厂商：安森美半导体公司
类别：汽车电子/安全与底盘/制动系统/Voltage Regulation (Linear, Switching)/
主要规格参数:
包装：管件可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN
电流-集电极（Ic）（最大值）：10A
电压-集射极击穿（最大值）：80V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1V @ 400mA，8A
电流-集电极截止（最大值）：10µA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：40 @ 4A，1V
功率-最大值：2W
频率-跃迁：50MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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