NVMFS5C646NLT1G

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是安森美半导体公司的NVMFS5C646NLT1G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：*可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：60V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：20A（Ta），93A（Tc）；

厂商：安森美半导体公司
类别：汽车电子/安全与底盘/安全系统/气囊/Solenoid / relay driver/
主要规格参数:
包装：*可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：20A（Ta），93A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：4.7 毫欧 @ 50A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：33.7nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：2164pF @ 25V
功率-最大值：3.7W
安装类型：*
封装/外壳：*
供应商器件封装：*

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