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NSS1C200LT1G

NSS1C200LT1G

发布时间:2015-08-20
简介:

本文是安森美半导体公司的NSS1C200LT1G的数据表,它是属于分立半导体产品 晶体管(BJT) - 单路。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;晶体管类型:PNP;电流-集电极(Ic)(最大值):2A;电压-集射极击穿(最大值):100V;不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):250mV @ 200mA,2A;


  • 厂商:安森美半导体公司
  • 类别: 汽车电子/安全与底盘/安全系统/气囊/Solenoid / relay driver/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:带卷(TR) 可替代的包装
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):2A
  • 电压-集射极击穿(最大值):100V
  • 不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):250mV @ 200mA,2A
  • 电流-集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):120 @ 50mA,2V
  • 功率-最大值:490mW
  • 频率-跃迁:120MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
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