NUS2401SNT1
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是安森美半导体公司的NUS2401SNT1的数据表,它是属于分立半导体产品 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;晶体管类型:2 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式;电流-集电极(Ic)(最大值):200mA;电压-集射极击穿(最大值):50V;电阻器-基底(R1)(欧姆):175,10k;
- 厂商:安森美半导体公司
- 类别:
汽车电子/安全与底盘/安全系统/气囊/Solenoid / relay driver/
- 主要规格参数:
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- 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
- 系列:-
- 晶体管类型:2 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式
- 电流-集电极(Ic)(最大值):200mA
- 电压-集射极击穿(最大值):50V
- 电阻器-基底(R1)(欧姆):175,10k
- 电阻器-发射极基底(R2)(欧姆):10k
- 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):-
- 不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA / 250mV @ 300µA,10mA
- 电流-集电极截止(最大值):500nA
- 频率-跃迁:-
- 功率-最大值:350mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-74,SOT-457
- 供应商器件封装:SC-74