NP90N04VUG-E1-AY
发布时间:2015-08-22
简介:
本文是瑞萨电子美国公司的NP90N04VUG-E1-AY的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):40V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):90A(Tc);
- 厂商:瑞萨电子美国公司
- 类别:
汽车电子/安全与底盘/安全系统/气囊/airbag/
- 主要规格参数:
-
- 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
- 系列:-
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):40V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):90A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):4 毫欧 @ 45A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):135nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):7500pF @ 25V
- 功率-最大值:1.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商器件封装:TO-252