IPB180N03S4L-01
发布时间:2015-08-22
简介:
本文是英飞凌科技公司的IPB180N03S4L-01的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);系列:OptiMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;
- 厂商:英飞凌科技公司
- 类别:
汽车电子/安全与底盘/安全系统/气囊/MOSFET/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR)
- 系列:OptiMOS™
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):180A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):1.05 毫欧 @ 100A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.2V @ 140µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):239nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):17600pF @ 25V
- 功率-最大值:188W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
- 供应商器件封装:PG-TO263-7-3