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IPP80N06S2L-H5

IPP80N06S2L-H5

发布时间：2015-08-23
简介：

本文是英飞凌科技公司的IPP80N06S2L-H5的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：管件；系列：OptiMOS™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：55V；


  • 厂商：英飞凌科技公司
  • 类别： 汽车电子/安全与底盘/稳定系统/3x MOSFET/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：OptiMOS™
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：55V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：80A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：5 毫欧 @ 80A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：190nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：5000pF @ 25V
  • 功率-最大值：300W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商器件封装：PG-TO220-3-1
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