中电网
中电网首页

产品索引  > 汽车电子 > 安全与底盘 > 稳定系统 > 3x MOSFET  >  IPG20N06S2L-50

IPG20N06S2L-50

IPG20N06S2L-50

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是英飞凌科技公司的IPG20N06S2L-50的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；系列：OptiMOS™；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：55V；


  • 厂商：英飞凌科技公司
  • 类别： 汽车电子/安全与底盘/稳定系统/3x MOSFET/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR）
  • 系列：OptiMOS™
  • FET类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：55V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：20A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：50 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 19µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：17nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：560pF @ 25V
  • 功率-最大值：51W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装：PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）
PDF 下 载
下载

中电网 中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 |   中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网 版权所有      京ICP备19016262号-2      增值电信业务经营许可证粤B2-20050142      京公网安备 11010802037127号

Tel: 010-62985649, 0755-33322333     Fax: 0755-33322099