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IPI80N04S3-H4

IPI80N04S3-H4

发布时间:2015-08-22
简介:

本文是英飞凌科技公司的IPI80N04S3-H4的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:管件;系列:OptiMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):40V;


  • 厂商:英飞凌科技公司
  • 类别: 汽车电子/安全与底盘/稳定系统/MOSFET 2/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:管件
  • 系列:OptiMOS™
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:标准
  • 漏源极电压(Vdss):40V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):80A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):4.8 毫欧 @ 80A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 65µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):60nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):3900pF @ 25V
  • 功率-最大值:115W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
  • 供应商器件封装:PG-TO262-3
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