IPG20N06S2L-35
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是英飞凌科技公司的IPG20N06S2L-35的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);系列:OptiMOS™;FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):55V;
- 厂商:英飞凌科技公司
- 类别:
汽车电子/驾驶员辅助系统/摄像头与环绕监测系统/Driver/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR)
- 系列:OptiMOS™
- FET类型:2 个 N 沟道(双)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):55V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):20A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):35 毫欧 @ 15A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V @ 27µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):23nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):790pF @ 25V
- 功率-最大值:65W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- 供应商器件封装:PG-TDSON-8-4(5.15x6.15)