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综述介绍

FDMC8026S

FDMC8026S

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是飞兆半导体公司的FDMC8026S的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；系列：PowerTrench®，SyncFET™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；

厂商：飞兆半导体公司
类别：汽车电子/驾驶员辅助系统/摄像头与环绕监测系统/Driver/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：PowerTrench®，SyncFET™
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：19A（Ta），21A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：4.4 毫欧 @ 19A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：52nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：3165pF @ 15V
功率-最大值：2.4W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-MLP（3.3x3.3），Power33

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