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FDMC8200S

FDMC8200S

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是飞兆半导体公司的FDMC8200S的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；系列：PowerTrench®；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；


  • 厂商：飞兆半导体公司
  • 类别： 汽车电子/驾驶员辅助系统/摄像头与环绕监测系统/Driver/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：PowerTrench®
  • FET类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：30V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A，8.5A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：20 毫欧 @ 6A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：10nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：660pF @ 15V
  • 功率-最大值：700mW，1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装：8-MLP（3.3x3.3），Power33
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