MMBF2201NT1G

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是安森美半导体公司的MMBF2201NT1G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：20V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：300mA（Ta）；

厂商：安森美半导体公司
类别：汽车电子/驾驶员辅助系统/摄像头与环绕监测系统/Driver/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：300mA（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1 欧姆 @ 300mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：45pF @ 5V
功率-最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：SC-70-3（SOT323）

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