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NTD4969N-35G

NTD4969N-35G

发布时间:2015-08-22
简介:

本文是安森美半导体公司的NTD4969N-35G的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:管件;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):9.4A(Ta),41A(Tc);


  • 厂商:安森美半导体公司
  • 类别: 汽车电子/驾驶员辅助系统/摄像头与环绕监测系统/Driver/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):30V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):9.4A(Ta),41A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):9 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):9nC @ 4.5V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):837pF @ 15V
  • 功率-最大值:1.38W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak
  • 供应商器件封装:I-Pak
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