NTMD4840NR2G
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是安森美半导体公司的NTMD4840NR2G的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):4.5A;
- 厂商:安森美半导体公司
- 类别:
汽车电子/驾驶员辅助系统/摄像头与环绕监测系统/Driver/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:-
- FET类型:2 个 N 沟道(双)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):4.5A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):24 毫欧 @ 6.9A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):9.5nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):520pF @ 15V
- 功率-最大值:680mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC N