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综述介绍

NVMFD5877NLT1G

NVMFD5877NLT1G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的NVMFD5877NLT1G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：60V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A；

厂商：安森美半导体公司
类别：汽车电子/驾驶员辅助系统/摄像头与环绕监测系统/Driver/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：39 毫欧 @ 7.5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：20nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：540pF @ 25V
功率-最大值：3.2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：8-DFN（5x6）

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