RJH60D1DPP-E0#T2

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是瑞萨电子美国公司的RJH60D1DPP-E0#T2的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：*；IGBT类型：沟道；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：20A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.5V @ 15V，10A；

厂商：瑞萨电子美国公司
类别：消费电子/智能家居与黑白家电/冰箱/冰柜/MOSFET/IGBT/
主要规格参数:
包装：*
系列：-
IGBT类型：沟道
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：20A
脉冲电流-集电极(Icm)：-
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.5V @ 15V，10A
功率-最大值：30W
开关能量：100µJ（开），130µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：13nC
25°C时Td（开/关）值：30ns/42ns
测试条件：300V，10A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：70ns
封装/外壳：*
安装类型：*
供应商器件封装：*

PDF 下载