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RJH60D0DPQ-E0#T2

RJH60D0DPQ-E0#T2

发布时间:2015-08-20
简介:

本文是瑞萨电子美国公司的RJH60D0DPQ-E0#T2的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:管件;IGBT类型:沟道;电压-集射极击穿(最大值):600V;电流-集电极(Ic)(最大值):45A;不同Vge,Ic时的Vce(on):2.2V @ 15V,22A;


  • 厂商:瑞萨电子美国公司
  • 类别: 消费电子/智能家居与黑白家电/冰箱/冰柜/MOSFET/IGBT/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • IGBT类型:沟道
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):45A
  • 脉冲电流-集电极(Icm):-
  • 不同Vge,Ic时的Vce(on):2.2V @ 15V,22A
  • 功率-最大值:140W
  • 开关能量:230µJ(开),290µJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:46nC
  • 25°C时Td(开/关)值:40ns/80ns
  • 测试条件:300V,22A,5 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):100ns
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-247
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